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YSZ晶體基片
- 產品概述：
- 氧化鋯（ZrO2）由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩定其結構， 一般實際使用的是YSZ單晶――加入釔穩定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機械、化學穩定性好，價格較低因而得以廣泛應用。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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YSZ 晶體基片
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| 技術參數
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晶體結構： | 立方晶系 | 晶格常數： | 5.125 ? | 密度： | 5.8 g/cm3 | 晶體純度： | 99.99% | 熔點： | 2800℃ | 熱膨脹系數： | 10.3×10 -6/℃ | 介電常數： | 27 | 生長方式： | 弧熔法 |
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| 產品規格
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常規晶向： | | 公差： | +/-0.5度 | 常規尺寸： | dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋、細磨 | 晶體粗糙度： | <5A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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