- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
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- 輥壓設(shè)備
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- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
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砷化銦(InAs)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
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| 技術(shù)參數(shù)?
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方 a =5.4505 ? | 生長方法: | CZ | 導(dǎo)電類型： | N型 | 摻雜類型： | 不摻雜 | 載流子濃度： | 2 ~ 5E16 / cm3 | 遷移率： | >18500cm2/V.S |
|
| 常規(guī)尺寸
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常規(guī)晶向：<100>、<111>； 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm; dia2″x0.5mm;拋光情況：單拋或雙拋; 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。 |
| 備注
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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