| 產品信息(四氧化三鈷/聚苯胺核殼納米線陣列，Co3O4/PANI) | 四氧化三鈷/聚苯胺(Co3O4/PANI)核殼納米線陣列其支撐核為介孔四氧化三鈷納米線，外殼為聚苯胺薄層。 該核殼納米陣列經水熱法和電沉積結合制備而成，可以在多種導電（如碳布、泡沫鎳、鎳片、不銹鋼片等）上生長。 內核的四氧化三鈷納米線平均直徑80-100nm，納米線由相互交聯的粒徑為4-5nm的納米顆粒構成，且納米顆粒間的空隙約為3-5nm。 外殼聚苯胺的厚度約為20nm，經電沉積生長在四氧化三鈷納米線核上構成異質結構的核殼納米陣列。核殼納米線的直徑100-150nm, 陣列整體長度約為5微米。 樣品宏觀尺寸不超過寬度3厘米´長度3厘米。 該樣品的宏觀色澤呈墨綠色。 產品信息（氧化亞鈷/聚苯胺核殼納米線陣列，CoO/PANI): 氧化亞鈷/聚苯胺核殼納米線陣列和上述四氧化三鈷/聚苯胺核殼納米線陣列的制備方法和形貌尺寸均類似，唯一不用在于前期通過不同熱處理工藝生成氧化亞鈷納米線核心，然后再以此為基礎生長聚苯胺交聯外殼。 代表性樣品的掃描電鏡和透射電鏡照片如下：
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