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| 產品信息
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利用原子層沉積（ALD）技術在多種碳納米材料（如石墨烯、碳納米管、碳納米螺旋）上沉積氧化鎳。基于ALD自限制性的特點，通過控制ALD的周期數可以實現氧化鎳厚度的精確控制。所得到的樣品具有結合強度好、膜層厚度一致、成分均勻性好等優點。 代表性樣品的透射電鏡照片如下： 
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